[发明专利]一种多层金属图形化工艺中的湿法腐蚀方法有效
| 申请号： | 201210352843.9 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103681277A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 韩文胜;缪新海;臧延亮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多层金属图形化工艺中的湿法腐蚀方法，利用冰乙酸(CH3COOH)、硝酸(HNO3)和水的混合液对Ag和Ni进行腐蚀，利用稀氢氟酸对Ti进行腐蚀，利用Al腐蚀液对Al进行腐蚀，最后利用APM溶液对TiN和Ti进行腐蚀。本发明只需要一次光刻，大大降低了成本，由于所有湿法腐蚀的步骤中对腐蚀窗口的形貌控制的比较好，因此提高了图形化工艺的品质，将Ag、Ni、Al以及TiN和Ti分别在一个步骤中腐蚀，节省了湿法腐蚀工艺的流程，提高可工艺的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 金属 图形 化工 中的 湿法 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种多层金属结构的湿法腐蚀方法，所述多层金属结构从衬底方向依次包括钛、氮化钛、铝、钛、镍、银，其特征在于，该湿法腐蚀方法包括步骤：以冰乙酸、硝酸和水的混合液对银/镍进行同步腐蚀；以氢氟酸对钛进行腐蚀；以铝腐蚀液腐蚀铝层；以APM腐蚀液同步腐蚀氮化钛/钛层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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