[发明专利]硅基太阳能电池暗I-V-T特性的测试方法

摘要

本发明涉及一种硅基异质结太阳能电池暗I-V-T特性（电流-电压-温度）的测试方法，属于硅基太阳能电池领域，通过测试0～60℃范围、电池两端加0至0.8V等步长连续变化直流电压的硅异质结太阳能电池的电流随温度变化规律，从而得出该电池的暗I-V-T特性曲线，可以分析异质结电池的载流子输运机制，得出电池填充因子的影响因素，是研究硅基太阳能电池电学性能的有效方法之一；本方法设备简单，操作方便，易于实现，测试数据可靠性、重复性高，应用于硅基太阳能电池的电学性能研究领域。

主权项

硅基太阳能电池暗I‑V‑T特性的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）采用热丝化学气相沉积技术制备结构为“Al前电极/n‑a‑Si:H/i‑a‑Si:H/p‑c‑Si/Al背电极”的硅基异质结太阳能电池；（2）将制备的硅基异质结太阳能电池放置于密封无光照射真空室内的铜板上，抽真空至4×10‑4～1×10‑4Pa，铜板与低温温度控制器相连；（3）通过热传导效应，通过调节低温温度控制器来控制硅基异质结太阳能电池表面的温度，硅基异质结太阳能电池表面温度由0℃升至60℃，步长为每分钟升温5℃，在每隔5℃的温度变化范围，通过数字万用表在异质结两端Al前电极和Al背电极施加直流电压，电压为0V至0.8V连续变化，电压步长为0.01V，读出数字万用表上的电流值，便可得出该硅基异质结太阳能电池0~60℃内的I‑V曲线，即I‑V‑T曲线。