[发明专利]用于MEMS结构中的TSV的支撑结构有效
| 申请号： | 201210351047.3 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103204456A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡易恒;张贵松;蔡宏佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 实施例是一种形成微机电系统(MEMS)器件的方法。该方法包括在第一衬底上方形成MEMS结构，其中，该MEMS结构包括活动元件；在第一衬底上方形成接合结构；以及在第一衬底上方形成支撑结构，其中，该支撑结构从接合结构突出。该方法另外包括将MEMS结构与第二衬底相接合；以及在第二衬底的背面上形成衬底通孔(TSV)，其中，上面的TSV与接合结构以及支撑结构对准。本发明提供用于MEMS结构中的TSV的支撑结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mems 结构 中的 tsv 支撑 | ||
【主权项】：
一种形成微机电系统(MEMS)器件的方法，包括：在第一衬底上方形成MEMS结构，其中，所述MEMS结构包括活动元件；在所述第一衬底上方形成接合结构；在所述第一衬底上方形成支撑结构，其中，所述支撑结构从所述接合结构横向地突出；将所述MEMS结构接合至第二衬底；以及在所述第二衬底的背面上形成衬底通孔(TSV)，其中，上面的TSV与所述接合结构以及所述支撑结构对准。
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