[发明专利]一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法有效
| 申请号： | 201210346195.6 | 申请日： | 2012-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102862947A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 何凯旋;郭群英;陈博;王鹏;汪祖民;王文婧;黄斌;陈璞;徐栋;吕东锋 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233042 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 晶圆级 真空 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件，由硅盖帽（12）、硅结构层（15）和硅衬底（10）经硅硅直接键合后组成，硅结构层（15）中设有可动结构，其特征在于：硅结构层（15）采用可作为导体的低阻硅片，并且直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5）以及压焊区（4），硅盖帽（12）中设置的引线通孔（13）与压焊区（4）相对应，并在压焊区（4）上溅射铝电极（14）。
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