[发明专利]一种MOM电容制造方法

摘要

本发明公开了一种MOM电容制造方法，用于增大MOM电容结构的电容密度；MOM电容结构包括电容区和铜互连区；MOM电容结构经薄膜沉积后形成刻蚀阻挡层、低介电常数的介质层和金属硬掩膜层，金属硬掩膜层包括缓冲层、掩膜层和上覆层；其中，具体包括：步骤1，在缓冲层上生长一层与缓冲层同样材质的刻蚀调整层,；步骤2，定义出MOM电容所在区域的光罩；步骤3，将MOM电容所在区域的刻蚀调整层去除；步骤4，按照通用工艺进行MOM电容结构的通孔成形、金属铜填充和化学机械研磨；本发明的有益效果：通过引入刻蚀调整层，使MOM电容区的剩余介质厚度减小，从而达到提高电容密度的目的；可以通过调节刻蚀调整层的厚度和刻蚀参数来达到合适的电容密度。

主权项

一种MOM电容制造方法，用于增大MOM电容结构的电容密度；所述MOM电容结构包括电容区和铜互连区；所述MOM电容结构经薄膜沉积后形成刻蚀阻挡层、低介电常数的介质层和金属硬掩膜层，所述金属硬掩膜层包括缓冲层、掩膜层和上覆层；其特征在于，具体包括：步骤1，在所述缓冲层上生长一层与所述缓冲层同样材质的刻蚀调整层,；步骤2，定义出所述MOM电容所在区域的光罩；步骤3，将所述MOM电容所在区域的刻蚀调整层去除；步骤4，按照通用工艺进行所述MOM电容结构的通孔成形、金属铜填充和化学机械研磨。