[发明专利]一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210345357.4 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN103681819B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 张文亮;朱阳军;卢烁今;赵佳;田晓丽;吴振兴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该绝缘栅双极性晶体管包括集电极、发射极、P‑基区、N+缓冲侧、N‑漂移区和栅极，栅极在沟槽内，栅极与N‑漂移区、P‑基区和发射极通过绝缘层电学隔离；其中，栅极由多晶硅组成，在沟槽内多晶硅栅上镶嵌一个以上不连续的绝缘体。本发明利用梳状栅结构减小了沟槽密度，从而提高抗短路能力。同时保持较高的栅密度，从而保证器件击穿电压下较小；同时，减小了器件的寄生电容，使器件有较高的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 绝缘 极性 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管，包括集电极、发射极、P‑基区、N+缓冲侧、N‑漂移区和栅极，所述栅极在沟槽内，所述栅极与所述N‑漂移区、所述P‑基区和所述发射极通过绝缘层电学隔离；其特征在于，在所述栅极内镶嵌一个以上不连续的绝缘体；其中，所述绝缘体位于所述沟槽的上侧，当加上正栅压时，P‑基区临近栅的地方会反型成N型沟道，而临近绝缘体的部分不能形成N型沟道，使所述N型沟道的宽度小于栅的宽度，从而减小N型沟道的密度。
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