[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法无效
| 申请号： | 201210344327.1 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102891088A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 方健;贾姚瑶;李源;袁同伟;黄帅;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导器件和体集成电路。本发明针对现有技术VDMOSFET器件工艺，用外延层作高压器件漂移区存在的问题，公开了一种VDMOSFET器件制造方法，既可用于制造VDMOSFET分离器件，更适用于BCD和COM集成电路工艺中制作高压器件。本发明的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，在传统的半导体工艺中，采用合适掺杂浓度的衬底制材料，直接以衬底材料作为器件的漂移区，不需要制作很厚的外延层，降低了工艺的复杂性，而且大大提高了器件的耐压。本发明只需要在衬底正面形成一层很薄的外延层，满足器件功能区制作就可以了。在器件功能区和注入区之间的衬底材料作为器件的漂移区直接承受高压。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管器件制造方法，包括步骤：a、在衬底正面形成器件的功能区并制作正面电极；b、在所述衬底背面形成注入区并制作背面电极；c、利用功能区和注入区之间的衬底材料作为器件的漂移区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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