[发明专利]一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法有效
申请号: | 201210343464.3 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN102867762A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 朱陆君;倪棋梁;陈宏璘 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种量测晶圆检测机台稳定性和精确性的监控方法,尤其涉及一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法。本发明一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法利用标准片上若干同一位置在按规定标注所得的刻度值与经检测机台测量所得的刻度值对比,依据所得的对比值量测检测机台自身的稳定性和精确性,本发明有利于提高晶圆缺陷检测的精确率,从而降低晶圆报废率,提高生产效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 光刻 晶圆洗边 去除 稳定性 监控 方法 | ||
【主权项】:
一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:选取一裸晶圆;步骤2:以所述裸晶圆边缘处为起点,分别从0°、80°、180°和270°四个角度到所述裸晶圆中心位置的0‑5000µm距离内,以1000µm为单位在所述裸晶圆上标注刻度线;步骤3: 以所述裸晶圆上的所述四个角度标注的刻度线上的各3000µm处为参照点,所述参照点分别为第一参照点、第二参照点、第三参照点、第四参照点; 步骤4:分别计算经检测后的所述裸晶圆上在所述第一参照点、第二参照点、第三参照点、第四参照点处得到的测量值,所述测量值对应分别为第一测量值、第二测量值、第三测量值、第四测量值;步骤5:计算所述第一参照点与所述第一测量值、所述第二参照点与所述第二测量值、所述第三参照点与所述第三测量值、所述第四参照点与所述第四测量值的差值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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