[发明专利]铕掺杂锌基薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201210343101.X | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103489650A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 陶霞;赵家兴;郑言贞;卢鑫泓;陈建峰 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 铕掺杂锌基薄膜材料及其制备方法，属于氧化锌薄膜材料技术领域。铕掺杂ZnO纳晶聚集体中掺杂的铕为三价铕离子，铕与锌的摩尔比为0.01～0.5：1，该聚集体的形貌为球形的纳晶聚集体。将醋酸锌和醋酸铕加入到中，超声分散均匀；于130-250°C，回流1-48h，冷却至室温，离心分离；将其与乙基纤维素、松油醇混合加入无水乙醇中,超声分散均匀，涂敷在导电基底上，而后在50～450℃，下进行热处理0.5～2小时，得到铕掺杂锌基薄膜。本发明简单易操作，可控性和重复性强，制备的锌基薄膜电极具有高效的太阳能光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
铕掺杂ZnO纳晶聚集体，其特征在于，该铕掺杂ZnO纳晶聚集体中掺杂的铕为三价铕离子，铕与锌的摩尔比为0.01～0.5：1，该聚集体的形貌为球形的纳晶聚集体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学，未经北京化工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210343101.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于有源电子标签的气瓶安全充装控制系统
- 下一篇：导线限位防脱器
