[发明专利]一种形成第一铜金属层的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种形成第一铜金属层的方法。本发明提出一种形成第一铜金属层的方法，以非晶碳作为第一铜金属层制备工艺中的研磨工艺的停止层，不仅能保证介质层的厚度不变，且易去除无任何残留，进而提高器件的性能和稳定性。

主权项

一种形成第一铜金属层的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在具有底层器件结构的硅片上，从下至上顺序依次沉积刻蚀阻挡层、介电质层、硬掩膜层和介质抗反射层后，继续光刻、刻蚀工艺，回蚀所述介质抗反射层、硬掩膜层、介电质层和刻蚀阻挡层至所述具有底层器件结构的硅片的上表面，去胶清洗后形成第一金属层沟槽；其中，在刻蚀工艺中所述介质抗反射层被完全去除，所述硬掩膜层的表面部分也被部分刻蚀，且所述硬掩膜层的材质为非晶碳；步骤S2：沉积阻挡层覆盖剩余硬掩膜层的上表面和所述第一金属层沟槽的底部及其侧壁，并继续填充并电镀金属铜充满所述第一金属层沟槽并覆盖所述阻挡层的上表面；步骤S3：采用研磨工艺去除多余铜至所述剩余硬掩膜层，并去除所述剩余硬掩膜层。