[发明专利]互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210337911.4 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103367311A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 施伯铮;杨慧君;孙志鸿;刘中伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 互连结构及其形成方法。互连结构包括：位于衬底上方的第一蚀刻终止层；位于第一蚀刻终止层上方的介电层；位于介电层中的导体以及位于介电层上方的第二蚀刻终止层。介电层包含碳并且具有顶部和底部。顶部和底部中的C含量的差值小于2at％。导体的表面中的氧含量小于约1at％。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：衬底；第一蚀刻终止层，位于所述衬底上方；介电层，具有顶部和底部，所述介电层位于所述第一蚀刻终止层上方，其中，所述介电层包含碳并且所述顶部和所述底部中的C含量的差值小于2at％；导体，位于所述介电层中，其中，所述导体的表面中的氧含量小于约1at％；以及第二蚀刻终止层，位于所述介电层的顶部上方。
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