[发明专利]抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法有效
| 申请号： | 201210337223.8 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103681334A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;罗啸;李喆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，包括步骤：在栅极多晶硅中注入硼离子；在栅极多晶硅表面进行氮离子注入；在栅极多晶硅的表面形成钨硅层。本发明通过在PMOS器件的栅极多晶硅硼注入之后，再进行氮离子注入，能在栅极多晶硅表面形成一层致密的氮化膜，氮化膜能够阻止硼向栅极多晶硅的表面扩散，能够降低在后续热过程中促使硼渗透到钨硅层中的风险，从而能有效抑制PMOS器件工艺中硼穿透到WSI层中而引起的栅极多晶硅耗尽现象的发生，使PMOS器件的阈值电压稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 pmos 器件 工艺 栅极 多晶 耗尽 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制PMOS器件工艺中栅极多晶硅耗尽的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上形成栅极多晶硅后，在所述栅极多晶硅中注入硼离子，使所述栅极多晶硅呈P型掺杂结构；步骤二、在硼离子注入之后，在所述栅极多晶硅表面进行氮离子注入,在所述栅极多晶硅表面形成一层氮化膜；步骤三、在氮离子注入后的所述栅极多晶硅的表面形成钨硅层，由所述钨硅层和所述栅极多晶硅组成所述PMOS器件的栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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