[发明专利]热处理装置、温度控制系统、热处理方法、温度控制方法无效
| 申请号： | 201210335491.6 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN103000555A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 吉井弘治;山口达也;王文凌;斋藤孝规 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/44;C23C16/46;C23C16/52;C30B25/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供热处理装置、温度控制系统、热处理方法、温度控制方法。热处理装置具有：处理容器；基板保持部，该基板保持部能够在处理容器内沿一个方向以规定间隔保持多个基板；加热处理容器的加热部；以及冷却部，该冷却部包括供给气体的供给部、以及沿一个方向分别设置于互不相同的位置的多个供给口，通过供给部经由各供给口向处理容器供给气体而冷却处理容器。冷却部设置为能够独立地控制供给部经由各供给口供给气体的供给流量。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 温度 控制系统 方法 控制 | ||
【主权项】：
一种对基板进行热处理的热处理装置，其特征在于，具有：处理容器；基板保持部，该基板保持部能够在所述处理容器内沿一个方向以规定间隔保持多个基板；加热所述处理容器的加热部；以及冷却部，该冷却部包括供给气体的供给部、以及沿所述一个方向分别设置于互不相同的位置的多个供给口，通过所述供给部经由各所述供给口向所述处理容器供给气体而冷却所述处理容器，所述冷却部设置为能够独立地控制所述供给部经由各所述供给口供给气体的供给流量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
