[发明专利]鳍部及其形成方法有效
| 申请号： | 201210332967.0 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681330A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;周梅生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍部及其形成方法，其中鳍部的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层，所述介质层掺杂有杂质离子，从介质层的表面到底部，所述杂质离子的摩尔浓度逐渐变化；在介质层表面形成掩膜层，掩膜层具有暴露介质层表面的开口；以所述掩膜层为掩膜，采用各向同性的刻蚀工艺沿开口刻蚀所述介质层，形成凹槽，刻蚀过程中，对介质层的刻蚀速率随着介质层中杂质离子的摩尔浓度的增大而减小；在凹槽中填充满外延层，所述外延层作为鳍部。在介质层的沿厚度掺杂不同摩尔浓度的杂质离子，在刻蚀介质层形成凹槽时，使形成凹槽的侧壁非垂直于半导体衬底的表面，提高了凹槽中形成的鳍部的表面积，从而提高通过鳍部的驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍部的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层掺杂有杂质离子，从介质层的表面到底部，所述杂质离子的摩尔浓度逐渐变化；在所述介质层表面形成掩膜层，所述掩膜层具有暴露介质层表面的开口；以所述掩膜层为掩膜，采用各向同性的刻蚀工艺沿开口刻蚀所述介质层，形成凹槽，刻蚀过程中，对介质层的刻蚀速率随着介质层中杂质离子的摩尔浓度的增大而增大；在凹槽中填充满外延层，所述外延层作为鳍部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
