[发明专利]石墨烯量子电容测试器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210331552.1 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102981060A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 肖柯;吴华强;吕宏鸣;钱鹤;伍晓明 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯量子电容测试器件及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形；在衬底上形成栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，分别与该栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形接触；在栅电极图形上形成栅介质层图形；在栅介质层图形、源电极图形和漏电极图形上形成石墨烯层图形；以及在石墨烯层图形上对应源电极图形和漏电极图形分别形成欧姆接触层图形。本发明的石墨烯量子电容测试器件及其制备方法可提高石墨烯量子电容的测量精度。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 量子 电容 测试 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯量子电容测试器件，其特征在于，包括：衬底所述衬底上形成有栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形；所述衬底上还形成有栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，分别与所述栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形相接触；所述栅电极图形上形成有栅介质层图形；所述栅介质层图形、源电极图形和漏电极图形上形成有石墨烯层图形；以及所述石墨烯层图形上对应所述源电极图形和漏电极图形分别形成有欧姆接触层图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210331552.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
