[发明专利]一种W波段单脉冲卡塞格伦天线的设计方法无效

专利信息
申请号: 201210330178.3 申请日: 2012-09-07
公开(公告)号: CN102832462A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 孙厚军;郑沛;赵国强 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: H01Q19/19 分类号: H01Q19/19;H01Q13/02
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 高燕燕
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提出一种W波段单脉冲卡塞格伦天线的设计方法,步骤1.根据目标探测装置对增益的要求和探测装置的口径来确定卡塞格伦天线主反射面的直径;步骤2.根据目标探测装置对天线整体体积和系统噪声的要求来确定卡塞格伦天线主反射面的焦径比;步骤3.根据目标探测装置对天线副瓣和3dB波束宽度的要求来确定卡塞格伦天线副反射面的直径和方程;步骤4.根据单脉冲探测体制和卡塞格伦天线副反射面确定馈源前端喇叭体的伸长量和喇叭张角;步骤5.根据目标探测装置对馈源厚度和后端结构设计的要求确定卡塞格伦天线馈源后端拐弯波导体;步骤6.根据单脉冲体制和馈源设计和差网络:步骤7.组装形成单脉冲卡塞格伦天线;最后完成W波段单脉冲卡塞格伦天线的设计。
搜索关键词: 一种 波段 脉冲 卡塞格伦 天线 设计 方法
【主权项】:
W波段单脉冲卡塞格伦天线的设计方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1.根据目标探测装置对增益的要求和探测装置的口径确定卡塞格伦天线主反射面的直径;步骤2.根据目标探测装置对天线整体体积和系统噪声的要求确定卡塞格伦天线主反射面的焦径比;步骤3.根据目标探测装置对天线副瓣和3dB波束宽度的要求确定卡塞格伦天线副反射面的直径和方程;步骤4.根据单脉冲探测体制和卡塞格伦天线副反射面确定馈源前端喇叭体的伸长量和喇叭张角;步骤5.根据目标探测装置对馈源厚度和后端结构设计的要求确定卡塞格伦天线馈源后端拐弯波导体;步骤6.根据单脉冲体制和馈源设计和差网络:和差网络将来自卡塞格伦天线四个端口的信号形成和、方位差、俯仰差波束三路信号,并将它们馈入单脉冲接收机,实现距离以及角度跟踪。步骤7.将步骤1‑步骤6设计好的四喇叭馈源、主反射面、副反射面、和差网络、副反射面支撑杆用螺钉连接,组装形成单脉冲卡塞格伦天线,其中主反射面与副反射面同心,利用主反射面背面的螺钉孔和定位孔设计工装,利用工装安装副反射面支撑杆,支撑杆装配完毕后依次安装馈源和副反射面,最后将和差网络与天线进行连接;步骤8.在微波毫米波暗室中分别测量安装好的单脉冲卡塞格伦天线的和、方位差、俯仰差方向图和增益特性参数,确认各项指标满足目标探测装置的要求,完成W波段单脉冲卡塞格伦天线的设计。
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