[发明专利]NLDMOS器件及制造方法有效
| 申请号： | 201210325764.9 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103681791A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 段文婷;石晶;刘冬华;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NLDMOS器件，可集成在BCD工艺中，利用现有的工艺条件，在漏端利用P型漏注入替代传统的N型漏注入，增加空穴电流，使器件的导通电阻较低。本发明还公开了所述NLDMOS器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | nldmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种NLDMOS器件，其特征在于：在P型硅衬底上具有N型埋层，N型埋层之上为N型深阱；所述NLDMOS器件的多晶硅栅极，位于N型深阱之上的硅表面，且与硅表面之间间隔一层栅氧化层，多晶硅栅极及栅氧化层两端均具有氧化物侧墙；所述多晶硅栅极一侧的N型深阱中，具有一P型阱，所述P型阱一侧位于栅氧化层下方的N型深阱中，另一侧位于一场氧下，P型阱中具有第一重掺杂P型区及重掺杂N型区，且第一重掺杂P型区与重掺杂N型区之间间隔一场氧区，所述重掺杂N型区位于栅极侧墙下，重掺杂N型区作为LDMOS器件的源区引出；所示多晶硅栅极的另一侧N型深阱中，一场氧位于该侧栅极侧墙下，其与另一场氧之间具有一N型阱，所述N型阱中，具有第二重掺杂P型区，所述第二重掺杂P型区作为LDMOS器件的漏区引出；在器件表面具有多个接触孔及引线引出第一重掺杂P型区、重掺杂N型区、第二重掺杂P型区，分别引出P型阱、LDMOS的源极及漏极。
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