[发明专利]基板剥离制程有效
| 申请号： | 201210321793.8 | 申请日： | 2012-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN103208418A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 栾大年;吴淇铭;江明盛;吕文璋 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基板剥离制程，用以分离彼此接合的第一基板与第二基板，其中第一基板具有第一接合面，第二基板具有彼此相对的第二接合面与背面，且第一接合面与第二接合面彼此接合。而在此基板剥离制程中，是先令光束以第一入射角从第二基板的背面入射而照射至第一接合面与第二接合面。其中，此第一入射角大于0度且小于90度。然后，将第一基板与第二基板分离。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 | ||
【主权项】：
一种基板剥离制程，适于用以分离彼此接合的第一基板与第二基板，其中该第一基板具有第一接合面，该第二基板具有彼此相对的第二接合面与背面，该第一接合面与该第二接合面彼此接合，其特征在于，该基板剥离制程包括：令光束以第一入射角自该背面入射而照射至该第一接合面与该第二接合面，其中该第一入射角大于0度且小于90度；以及将该第一基板与该第二基板分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元太科技工业股份有限公司，未经元太科技工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210321793.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
