[发明专利]一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法有效
| 申请号： | 201210321441.2 | 申请日： | 2012-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN103681458A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张霞;于大全;张博 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，包括：选取带有单层金属层的柔性基板，对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成多个金属电极，并对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽形成多个槽；在该柔性基板具有多个槽的一面倒装热压键合多个芯片；将该柔性基板热压键合有多个芯片的一面与一柔性介质层进行热压，使该多个芯片被嵌入到该柔性介质层中；对该柔性基板已嵌入多个芯片的柔性介质层一面进行减薄，得到减薄后的嵌入多个芯片的柔性介质模块；将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，实现多个芯片的堆叠；对多个芯片堆叠的三维柔性封装模块进行灌封及固化；以及对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 嵌入式 超薄 芯片 三维 柔性 堆叠 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，包括：选取带有单层金属层的柔性基板，对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成多个金属电极，并对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽形成多个槽；在该柔性基板具有多个槽的一面倒装热压键合多个芯片；将该柔性基板热压键合有多个芯片的一面与一柔性介质层进行热压，使该多个芯片被嵌入到该柔性介质层中；对该柔性基板已嵌入多个芯片的柔性介质层一面进行减薄，将该柔性介质层以及多个芯片同时减薄到厚度小于50微米，得到减薄后的嵌入多个芯片的柔性介质模块；将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，使得两边的芯片背面粘贴于中间的芯片背面之上，实现多个芯片的堆叠；对多个芯片堆叠的三维柔性封装模块进行灌封及固化；以及对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210321441.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多种维生素C胶囊
- 下一篇：一种黄铜合金及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
