[发明专利]一种准单晶硅锭的切割方法及硅片制造方法有效
| 申请号： | 201210320601.1 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102814866A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 王楠;黎志欣;王军;郭大伟 | 申请（专利权）人： | 北京京运通科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D1/02 | 分类号： | B28D1/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种准单晶硅锭的切割方法及硅片制造方法，以解决现有技术中切割准单晶硅锭时，不能将准单晶硅锭中生长单晶边缘部分切割为完整的一类硅块，获取的一类硅片数量较少的问题。本发明中，在正面外形尺寸为第一尺寸的准单晶硅锭上，确定一能将所述准单晶硅锭中生长单晶部分全部包围的正方形边长尺寸，作为第二尺寸；采用与第二尺寸匹配度最大的开方方式，将所述准单晶硅锭切割为正面外形尺寸为固定大小的硅块；其中，所述匹配度最大指切割出固定大小硅块的数量最多。通过本发明能够获得更多数量的具有产业化价值的一类硅片，提高准单晶硅锭一类品得率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 切割 方法 硅片 制造 | ||
【主权项】：
一种准单晶硅锭的切割方法，其特征在于，该方法包括：在正面外形尺寸为第一尺寸的准单晶硅锭上，确定一能将所述准单晶硅锭中生长单晶部分全部包围的正方形边长尺寸，作为第二尺寸；采用与第二尺寸匹配度最大的开方方式，将所述准单晶硅锭切割为正面外形尺寸为固定大小的硅块；其中，所述匹配度最大指切割出固定大小硅块的数量最多。
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