[发明专利]以搅棒扰动载具边缘的湿制程蚀刻装置及方法无效
| 申请号： | 201210319207.6 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102983061A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 陈文隆;颜锡鸿;陈毓正;马俊麒;余智林 | 申请（专利权）人： | 弘塑科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;吕俊清 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种以搅棒扰动载具边缘的湿制程蚀刻装置，包括湿制程蚀刻槽，所述湿制程蚀刻槽内设有蚀刻液及载具，所述载具设有多个凹槽，所述凹槽置放有工件。还包括两搅棒组，所述两搅棒组分别设置于所述载具的两侧，每一搅棒组各具有至少一搅棒，所述搅棒由驱动机构所带动，用于扰动所述蚀刻液。借此，利用搅棒往复式搅拌产生微小振动，提高蚀刻均匀度，而提升良率。 | ||
| 搜索关键词： | 扰动 边缘 湿制程 蚀刻 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种以搅棒扰动载具边缘的湿制程蚀刻装置，包括湿制程蚀刻槽，所述湿制程蚀刻槽内设有蚀刻液及载具，所述载具设有多个凹槽，所述凹槽置放有工件，其特征在于，还包括两搅棒组，所述两搅棒组分别设置于所述载具的两侧，每一所述搅棒组各具有至少一搅棒，所述搅棒由驱动机构所带动，用于扰动所述蚀刻液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弘塑科技股份有限公司，未经弘塑科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210319207.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
