[发明专利]高介电栅介质镧钛氧非晶薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210318979.8 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102864410A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 樊慧庆;杨陈;李强 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;C23C14/58;C23C14/54 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高介电栅介质镧钛氧非晶薄膜的制备方法，用于解决现有方法制备的镧钛氧非晶薄膜的漏电流密度大的技术问题。技术方案是将LaTiO3.5颗粒作为蒸发的膜料，p型Si(100)作为衬底；衬底清洗后，于真空室中用加热系统对衬底进行加热蒸发，使其温度保持在100～250°C；蒸发时间为1～6min，电子枪束流大小为70～90mA；真空室中真空度小于3×10-3Pa，蒸发过程中，使用纯度99.99％的O2作为反应气体；得到沉积态的镧钛氧非晶薄膜；沉积态的镧钛氧非晶薄膜在700～900°C快速退火1～5min，得到镧钛氧非晶薄膜。由于通过优化镧钛氧非晶薄膜的配方和工艺，获得漏电流密度小、介电常数高的镧钛氧非晶薄膜。所制备的镧钛氧非晶薄膜的漏电流密度小由背景技术的～10-6A/cm2降低到～6.5×10-7A/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电栅 介质 镧钛氧非晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高介电栅介质镧钛氧非晶薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（a）将纯度为99.99％的LaTiO3.5颗粒作为蒸发的膜料，衬底采用p型Si(100)；（b）衬底彻底清洗后，于真空室中用加热系统对衬底进行加热蒸发，使其温度保持在100～250°C；蒸发时间为1～6min，电子枪束流大小为70～90mA；真空室中真空度小于3×10‑3Pa，蒸发过程中，使用纯度99.99％的O2作为反应气体；得到沉积态的镧钛氧非晶薄膜；（c）沉积态的镧钛氧非晶薄膜在700～900°C快速退火1～5min，得到镧钛氧非晶薄膜。
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