[发明专利]一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器无效
申请号: | 201210316186.2 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN102832219A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 李泽宏;李长安;张仁辉;李巍;张金平;任敏;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/098 | 分类号: | H01L27/098 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 温利平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器,属于半导体功率器件技术领域。包括集成在一起的一个结型场效应晶体管JFET和一个可调热敏电阻,可调热敏电阻一端与JFET源极相连,另一端与JFET的栅极相连。该发明的核心为可调的热敏电阻,可调热敏电阻可以通过激光切割等方式得到满足输出电流大小要求的阻值,在同一批次中得到不同类型产品。热敏电阻为正温度系数,工作情况下,温度增加,电阻增大,降低输出电流,保护了所应用系统的可靠性。本发明具有集成度高、输出电流稳定、输电流大小可调节、温度特性好的优点,可应用于LED照明等领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 可调 热敏电阻 反馈 线性 恒流器 | ||
【主权项】:
一种集成可调热敏电阻的自反馈线性恒流器,包括P+衬底(2)、P+衬底(2)正面的N‑外延层(3)和P+衬底(2)背面的金属化阴极(1);N‑外延层(3)中的具有彼此之间相互独立的N‑阱区(5)、P+环(4)和P+电阻阱区(9),其中P+环(4)包围着N‑阱区(5)和P+电阻阱区(9);N‑阱区(5)中的具有彼此之间相互独立的N+源区(8)、N+漏区(6)和P+栅区(7);P+环(4)和P+栅区(7)通过第三金属电极(15)相连接,N+漏区(6)表面与第一金属电极(13)相连;P+电阻阱区(9)中具有可调热敏电阻(10),可调热敏电阻(10)的一端与N+源区(8)之间通过第二金属电极(14)相连接,可调热敏电阻(10)的另一端与P+栅区(7)之间通过第三金属电极(15)相连接;N‑外延层(3)表面覆盖有氧化层(12)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的