[发明专利]高分子复合纳米电压变阻软薄膜及其制作方法有效
申请号: | 201210314982.2 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN102827411A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 王晶;乔治;蔡峰 | 申请(专利权)人: | 武汉芯宝科技有限公司 |
主分类号: | C08L23/06 | 分类号: | C08L23/06;C08K9/04;C08K3/04;H01C7/10 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 刘志菊 |
地址: | 430043 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种高分子复合纳米电压变阻软薄膜及其制作方法,将茂金属线性聚乙烯与低密度聚乙烯的混合的高分子基体材料100份与经带反应基团的聚氨酯或环氧树酯表面改性剂进行锚固聚合变性的纳米石墨烯导电填料3~14份熔融共混,经热熔压延和冷压定型获得厚度为50um~200um的软薄膜。该高分子复合纳米电压变阻软薄膜具有与施加其上的电压有一个相对应的阀值关系,当施加在该薄膜两端的电压为一个特定值时,该软薄膜由绝缘体突变为导电体,这个电压特定值在该软薄膜生产时被确定。本发明的薄膜具有柔韧性、高机械强度、耐腐蚀、抗氧化、高挺度、抗冲击、抗撕裂,纵横向拉伸力均衡,形状大小可按需要随意裁剪。 | ||
搜索关键词: | 高分子 复合 纳米 电压 变阻软 薄膜 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
高分子复合纳米电压变阻软薄膜,组分及重量配比为:高分子基体材料100份,纳米导电填料3~14份,所述纳米导电填充料为经过表面改性的石墨烯纳米片或石墨烯粉末;所述高分子聚合物基体材料为茂金属线性聚乙烯与低密度聚乙烯的混合材料或茂金属线性聚乙烯与同聚乙烯物理性质相近的其它聚合物材料或弹性体、橡胶中的一种或两种以上的混合物混合组成材料;其中茂金属线性聚乙烯占高分子聚合物基体材料重量的50%~70%。
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