[发明专利]带有埋置电极的半导体器件有效
| 申请号： | 201210311484.2 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102969288A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | C.阿伦斯;J.鲍姆加特尔;F.J.桑托斯罗德里古斯;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;刘春元 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及带有埋置电极的半导体器件。通过在半导体基板内形成空腔、在被置放在半导体基板上的外延层中形成有源器件区域并且在空腔中在有源器件区域下面形成埋置电极，制造了一种带有埋置电极的半导体器件。从不同于半导体基板的材料的导电材料形成该埋置电极。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 电极 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在被置放在半导体基板上的外延层中形成的有源器件区域；和在所述半导体基板内形成的空腔中被置放在所述有源器件区域下面的埋置电极，所述埋置电极包括不同于所述半导体基板的材料的导电材料。
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