[发明专利]低压输出带隙基准电路有效
| 申请号： | 201210309074.4 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103631297A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王超 | 申请（专利权）人： | 三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王兆赓 |
| 地址： | 215021 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 供一种低压输出带隙基准电路。所述低压输出带隙基准电路包括带隙基准电压产生电路以及负反馈环路，其中，所述负反馈环路包括：第三PMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第三双极性晶体管、第四电阻器、第五电阻器以及第二运算放大器。所述低压输出带隙基准电路能够提供与温度无关的低压输出。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 输出 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种低压输出带隙基准电路，包括带隙基准电压产生电路以及负反馈环路，其特征在于，所述负反馈环路包括：第三PMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第三双极性晶体管、第四电阻器、第五电阻器以及第二运算放大器，其中，第三PMOS晶体管的栅极连接到包括在带隙基准电压产生电路中的第一运算放大器的输出端，源极连接到电源VDD，漏极连接到低压输出带隙基准电路的输出端；第五电阻器的第一端连接到低压输出带隙基准电路的输出端，第二端连接到第二运算放大器的正向输入端和第三双极性晶体管的发射极；第三双极性晶体管的基极和集电极接地；第四NMOS晶体管的栅极连接到第二运算放大器的输出端，源极连接到第四电阻器的第一端，漏极连接到低压输出带隙基准电路的输出端；第四电阻器R4的第二端接地；第二运算放大器的反向输入端连接到第四电阻器的第一端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社，未经三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210309074.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
