[发明专利]利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法有效
| 申请号： | 201210308708.4 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102817006A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 李文英;钟建;张小秋;尹桂林;张柯;姜来新;余震;何丹农 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;G01Q60/38 |
| 代理公司： | 广东世纪专利事务所 44216 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法，该方法利用磁控溅射法，室温下在清洗干净的原子力显微镜探针（硅或氮化硅）上依次沉积Cr膜和Au膜；通过改变溅射时间改变Cr膜和Au膜的厚度，最终可得到表面覆有3~20nm铬膜和30~100nm金膜的原子力显微镜探针；可用于微观科学等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、成膜均匀、沉积速度快、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁控溅射 原子 显微镜 探针 进行 修饰 方法 | ||
【主权项】：
一种利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法，其特征在于：将清洗干净的探针置于磁控溅射腔内，室温下利用磁控溅射镀膜技术在纯氩气气氛下依次溅射铬膜和金膜，得到表面覆有3~20nm铬膜和30~100nm金膜的原子力显微镜探针，所述原子力显微镜探针为硅探针或氮化硅探针。
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