[发明专利]一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法无效

专利信息
申请号: 201210306177.5 申请日: 2012-08-26
公开(公告)号: CN102816911A 公开(公告)日: 2012-12-12
发明(设计)人: 张振宇;张念民;李方元;郭东明 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C21D7/02 分类号: C21D7/02;C22F1/00
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 侯明远
地址: 116100*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法,属于II-VI族软脆晶体纳米加工制造技术领域,特别涉及II-VI族软脆晶体的光电子器件制造的方法。其特征是采用表面粗糙度Ra≤1.5纳米的II-VI族软脆单晶体为样品,在≤1牛载荷下,用纳米压痕和纳米划痕制备单向、连续和无晶界纳米孪晶方法。压头为Berkovich三棱锥、圆锥和三棱直角锥,划针为圆锥形划针。制备的纳米孪晶结构为厚度在15-100纳米的大孪晶和小于15纳米的小孪晶交替分布模式。形成的纳米孪晶结构硬度可达80 GPa,为原单晶体的100倍,并具有良好的塑性,可承受300次的循环加载。本发明的效果和益处是实现了机械变形制备II-VI族软脆晶体超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法。
搜索关键词: 一种 机械 变形 制备 超高 硬度 单向 连续 无晶界 纳米 方法
【主权项】:
一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法,采用机械变形方法,制备超高硬度纳米孪晶结构,实现II‑VI族软脆晶体具有超高硬度同时具有良好的塑性功能,其特征是:(1)样品为II‑VI族软脆单晶体;(2)样品表面粗糙度Ra≤1.5 nm;(3)采用的机械变形方法为纳米压痕和纳米划痕;(4)加载载荷≤1 N;(5)所用的压头为Berkovich三棱锥、圆锥、三棱直角锥,所用的划针为圆锥形划针;(6)所制备的纳米孪晶结构具有单向、连续、无晶界特征;(7) 纳米孪晶结构由大孪晶和小孪晶交替分布,大孪晶的厚度为15‑100 nm,小孪晶的厚度小于15 nm;(8)所制备的纳米孪晶的硬度达80 GPa,是原单晶体硬度的100倍,并具有良好的塑性,能连续承受300次的循环加载。
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