[发明专利]一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法无效
申请号: | 201210306177.5 | 申请日: | 2012-08-26 |
公开(公告)号: | CN102816911A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 张振宇;张念民;李方元;郭东明 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C21D7/02 | 分类号: | C21D7/02;C22F1/00 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 侯明远 |
地址: | 116100*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法,属于II-VI族软脆晶体纳米加工制造技术领域,特别涉及II-VI族软脆晶体的光电子器件制造的方法。其特征是采用表面粗糙度Ra≤1.5纳米的II-VI族软脆单晶体为样品,在≤1牛载荷下,用纳米压痕和纳米划痕制备单向、连续和无晶界纳米孪晶方法。压头为Berkovich三棱锥、圆锥和三棱直角锥,划针为圆锥形划针。制备的纳米孪晶结构为厚度在15-100纳米的大孪晶和小于15纳米的小孪晶交替分布模式。形成的纳米孪晶结构硬度可达80 GPa,为原单晶体的100倍,并具有良好的塑性,可承受300次的循环加载。本发明的效果和益处是实现了机械变形制备II-VI族软脆晶体超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 机械 变形 制备 超高 硬度 单向 连续 无晶界 纳米 方法 | ||
【主权项】:
一种机械变形制备超高硬度单向连续无晶界纳米孪晶方法,采用机械变形方法,制备超高硬度纳米孪晶结构,实现II‑VI族软脆晶体具有超高硬度同时具有良好的塑性功能,其特征是:(1)样品为II‑VI族软脆单晶体;(2)样品表面粗糙度Ra≤1.5 nm;(3)采用的机械变形方法为纳米压痕和纳米划痕;(4)加载载荷≤1 N;(5)所用的压头为Berkovich三棱锥、圆锥、三棱直角锥,所用的划针为圆锥形划针;(6)所制备的纳米孪晶结构具有单向、连续、无晶界特征;(7) 纳米孪晶结构由大孪晶和小孪晶交替分布,大孪晶的厚度为15‑100 nm,小孪晶的厚度小于15 nm;(8)所制备的纳米孪晶的硬度达80 GPa,是原单晶体硬度的100倍,并具有良好的塑性,能连续承受300次的循环加载。
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