[发明专利]一种调节基片表面温度的控温系统和控温方法

摘要

发明公开了一种在化学气相沉积反应器或者外延层生长反应器内调节基片表面温度的控温系统，所述控温系统包括至少两个加热部件，每个加热部件至少连接一个加热电源输出；将预先测得的反应器内的基片表面温度和其他影响温度的参数以及为了实现基片表面温度均匀，加热电源输出的温度调节参数储存在一控制器内，在反应器实际工作时，通过温度测量装置、气体流速测量装置、压力测量装置以及转速控制装置测量反应器内部相应的工艺参数，将测得的工艺参数输入所述控制器内，与预先储存在控制器内的工艺条件参数进行比对，找到相同或最相似的工艺条件下对应的加热电源输出的温度调节参数，从而控制对应加热部件的温度，实现基片表面温度的均匀分布。

主权项

一种调节基片表面温度的控温系统，所述控温系统位于一化学气相沉积反应器或者外延层生长反应器内，所述反应器包括一基片承载架，所述基片承载架表面放置基片，其特征在于：所述控温系统包括：第一加热部件和第二加热部件，所述第一加热部件和第二加热部件位于所述基片承载架附近，在所述基片承载架支撑基片的表面区域形成第一加热区和第二加热区；供电系统，包括第一加热电源输出和第二加热电源输出，所述的第一加热电源输出和第二加热电源输出分别和所述的第一加热部件和第二加热部件相连；温度探测装置，用于测量所述第一加热区的温度；控制器，所述控制器内预先存储有若干组第一加热区的温度及影响所述第一加热区温度的参数，以及对应的第二加热区的温度调节参数，所述控制器和所述温度探测装置相连，所述控制器对所述温度探测装置探测到的第一加热区温度与预先储存的数据进行运算比较，得出第二加热区的温度调节参数；所述控制器将经过比较得出的第二加热区的温度调节参数输送到供电系统，调节第二加热电源输出。