[发明专利]一种5块掩模版IGBT芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201210305957.8 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102842611A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 刘江;赵哿;高明超;金锐 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/027;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种5块掩模版IGBT芯片，由所述5块掩模版制造形成IGBT芯片；所述5块掩模版分别是孔掩模版、金属掩模版、钝化掩模版、有源区掩模版和多晶掩模版；所述孔掩模版、金属掩模版和钝化掩模版位于IGBT芯片互连及保护模块中；所述有源区掩模版和多晶掩模版位于与IGBT芯片互连及保护模块相反方向的模块中。本发明还涉及一种5块掩模版IGBT芯片的制造方法，本发明的方案极大降低IGBT芯片制造成本，为IGBT芯片制造指出了一条新颖的技术路线。实现容易，可行性强；与传统IGBT芯片制造方法（≥6块掩模版）相比，显著的降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模版 igbt 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种5块掩模版IGBT芯片，其特征在于，由所述5块掩模版制造形成IGBT芯片；所述5块掩模版分别是孔掩模版、金属掩模版、钝化掩模版、有源区掩模版和多晶掩模版；所述孔掩模版、金属掩模版和钝化掩模版位于IGBT芯片互连及保护模块中；所述有源区掩模版和多晶掩模版位于与IGBT芯片互连及保护模块相反方向的模块中。
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