[发明专利]在衬底上制造半导体部件的方法和包括半导体部件的衬底

摘要

本发明涉及在衬底上制造半导体部件的方法和包括半导体部件的衬底。一种包括光刻构图步骤的在衬底上制造半导体部件的方法，在衬底上，提供第一层和作为第一层的掩模的第二层，提供作为第二层的掩模的第三层，对第二层依次进行至少两个光刻构图工艺，在一个构图工艺中，在制造由用于第三层的掩模层的光敏层构成的结构后，在第三层的构图边缘形成正倾角α，给定第三层的厚度h，保持开放的结构的尺寸减小D=2＊h/tanα的值，在另一个构图工艺中，在制造由用于第三层的掩模层的光敏层制构成的结构后，在第三层的构图边缘形成负倾角β，给定第三层的厚度h，剩余结构的尺寸减小W=2＊h/tanβ的值，由被分别构图的第三层构图第二层。

主权项

一种包括光刻构图步骤的用于在衬底（100）上制造半导体部件的方法，在所述方法中，在所述衬底（100）上，施加要构图的第一层（200）并且施加作为要构图的所述第一层的掩模层的第二层（300），其中施加作为所述第二层的掩模的第三层（401），并且其中对所述第二层依次进行至少两个光刻构图工艺，其中在一个所述构图工艺期间，在制造由用于为在所述第三层（401）处的构图工艺提供掩模层的光敏层（402）构成的结构之后，在所述第三层的构图边缘处形成正倾角α，作为结果，给定所述第三层的厚度h，保持开放的结构（420）的尺寸减小D=2＊h/tanα的值，以及其中，在另一个所述构图工艺期间，在制造由用于为在所述第三层（411）处的构图工艺提供掩模层的光敏层（412）构成的结构之后，在所述第三层的构图边缘处形成负倾角β，其中给定所述第三层的厚度h，剩余结构（430）的尺寸减小W=2＊h/tanβ的值，以及其中基于被分别构图的所述第三层（401）构图所述第二层（300）。