[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210303691.3 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103633016A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 发明提供一种半导体结构的制造方法，包括：a)在衬底上形成金属互连线；b)形成覆盖所述金属互连线的掩膜层，在所述掩膜层上形成暴露所述金属互连线的开口；c)通过所述开口刻蚀并断开所述金属互连线，实现金属互连线的绝缘隔离。本发明还提供一种半导体结构，包括衬底以及在衬底中形成的金属互联线，其中：金属互联线端点之间被形成在衬底中的绝缘墙所断开。本发明的结构和方法利于减小相邻金属互连线端点到端点的间距，节省器件面积，以及解决金属互连线之间可能存在的短路问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)在衬底上形成金属互连线；b)形成覆盖所述金属互连线的掩膜层，在所述掩膜层上形成暴露所述金属互连线的开口；c)通过所述开口刻蚀并断开所述金属互连线，实现金属互连线的绝缘隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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