[发明专利]与ESD/过电压/反极性保护相组合的集成先进铜熔丝有效
申请号: | 201210302940.7 | 申请日: | 2012-08-23 |
公开(公告)号: | CN102956635A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 奥拉夫·普芬尼希斯多夫;沃尔夫冈·施尼特 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/70;H02H3/20;H02H11/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在一个实施例中,提出了一种集成电路及其制造方法。集成电路包括过电压保护元件和过电流保护元件。集成电路操作用于提供增强的并且高效的ESD功能。本公开的过电流元件包括扩散保护层,以提高过电流元件的寿命并且改善功能。 | ||
搜索关键词: | esd 过电压 极性 保护 组合 集成 先进 铜熔丝 | ||
【主权项】:
一种集成电路,包括电路构建衬底,所述集成电路包括:导电结构,由所述电路构建衬底支撑,包括金属迹线和与所述金属迹线相邻的扩散保护器,并且配置和布置用于减少相对于金属迹线结构的扩散;输入端子,配置和布置用于将基于功率的输入信号施加到金属迹线的第一部分;输出端子,配置和布置用于将基于功率的输出信号传递至金属迹线的第二部分,其中所述基于功率的输出信号是因基于功率的输入信号而产生的;以及电压电涌电路,配置和布置用于响应于基于功率的输出信号的电压超过与所述电路相关联的电压阈值电平,将基于功率的输出信号传递至参考端子,从而响应于电压电涌超过所述电压阈值电平,电压电涌电路被适配为通过经由参考端子短路或者利用金属迹线阻碍来限制向输出端子处连接的电路提供的电压电平,所述金属迹线被适配为为了过电流保护而牺牲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的