[发明专利]用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法

摘要

本发明是用树脂层制造密集台阶型器件自对准金属图形的转移方法，其工艺包括：一、制成密集台阶结构；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上形成一层金属膜；四、在半导体材料上涂覆粘附剂、树脂层；五、树脂层进行加热固化；六、处理半导体材料上的树脂层，露出台阶上表面及部分台阶侧壁金属层；七、去除半导体材料台阶上表面及部分台阶侧壁露出的金属膜；八、进行去树脂层。优点：解决了通过普通光刻方式无法实现的台阶底部及部分台阶侧壁金属层完好覆盖的问题，通过自对准方式保证了台阶上表面及部分台阶侧壁金属层的露出及去除，保证了密集台阶结构的槽底部区域金属层的完好覆盖。

主权项

一种采用树脂层用于制造密集台阶型器件的自对准金属图形的转移方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：一，对半导体材料进行光刻、蒸发金属掩膜层、剥离、干法刻蚀或湿法去除掩膜层工艺，形成密集台阶结构，选用的半导体材料为碳化硅晶片，或碳化硅衬底上生长的一层或者多层碳化硅薄膜的外延片；二，对半导体材料使用酸性溶液清洗，所述的酸性溶液用盐酸与纯水，其盐酸与纯水的重量配比为1：5‑20；三，在半导体材料表面上淀积一层金属，金属为镍、钛、铝或铂，金属厚度为30nm～300nm，采用电子束蒸发的方式形成；四，在半导体材料表面上淀积的一层金属，具体是通过涂覆粘附剂HMDS，采用蒸汽喷涂法涂覆将苯并环丁烯或者聚酰亚胺的树脂层附着于金属表面，树脂层厚度在1um～3um，密集台阶凹槽也被树脂层覆盖填平；五，将半导体材料上金属上的苯并环丁烯或者聚酰亚胺的树脂层进行加热固化工艺，加热温度从25℃开始，分段升温至250℃，固化时间在1小时以上，然后降温至室温；六，采用干法刻蚀方法大面积处理苯并环丁烯或者聚酰亚胺的树脂层，露出台阶上表面和部分侧壁的金属；七，使用专用酸性溶液去除半导体材料台阶上表面及部分台阶侧壁露出的金属；八，采用干法刻蚀方法进行去除剩余的苯并环丁烯或者聚酰亚胺的树脂层，干法刻蚀方法为等离子体刻蚀PE或感应耦合等离子体刻蚀ICP，台阶上表面及部分台阶侧壁露出的金属图形保护完好。