[发明专利]一种黄铁矿型二硫化亚铁纳米单晶半导体材料的制备方法有效
| 申请号： | 201210300304.0 | 申请日： | 2012-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN102797031A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 拜永孝;包琰;魏成蓉;邓爱英;胡新军 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/46;C01G49/12;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 李艳华 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种黄铁矿型二硫化亚铁纳米单晶半导体材料的制备方法，该方法包括以下步骤：⑴将铁源与三辛基氧化磷混合，并溶于油胺中，经搅拌且通氩气或氮气除去氧气后，得到铁源前驱体；⑵将铁源前驱体在油浴中加热并搅拌，得到铁源溶液；⑶将硫源溶于油胺中，经搅拌且通氩气或氮气除去氧气后，得到硫源溶液；⑷将硫源溶液加热后用针管抽取，快速注射进铁源溶液中，然后将加热铁源的油浴升温并反应，得到黄铁矿型二硫化亚铁胶体；⑸将黄铁矿型二硫化亚铁胶体冷却至室温时加入三氯甲烷-乙醇混合液进行洗涤、离心处理直至上层离心液为无色，洗涤后的样品封存于氯仿溶液中即可。本发明所得产品具有均一的粒径和形貌，工艺重复性好，质量稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 黄铁矿 硫化亚铁 纳米 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种黄铁矿型二硫化亚铁纳米单晶半导体材料的制备方法，包括以下步骤：⑴将铁源与三辛基氧化磷按1：2~1：6的摩尔比混合，并溶于油胺中，经搅拌且通纯度为98.5%以上的氩气或氮气除去氧气后，得到铁源前驱体；所述铁源与所述油胺质量体积比为1：100~1：300；⑵将所述铁源前驱体在油浴中加热到120~170℃并搅拌0.5~1.5小时，得到铁源溶液；⑶将硫源溶于油胺中，经搅拌且通纯度为98.5%以上的氩气或氮气除去氧气后，得到硫源溶液；所述硫源与所述油胺质量体积比为1：50~1：100；⑷将所述硫源溶液加热到60~90℃，然后用针管抽取，快速注射进铁源溶液中，然后将所述加热铁源的油浴升温至180~220℃，并反应1~3小时，得到黄铁矿型二硫化亚铁胶体；所述硫源溶液与所述铁源溶液的体积比为1：2~1：4；⑸将所述黄铁矿型二硫化亚铁胶体冷却至室温时加入三氯甲烷‑乙醇混合液进行洗涤、离心处理直至上层离心液为无色，洗涤后的样品封存于氯仿溶液中即可；所述三氯甲烷‑乙醇混合液中三氯甲烷与乙醇的体积比为1：0.5~1：1；所述黄铁矿型二硫化亚铁胶体与所述三氯甲烷‑乙醇混合液的体积比为1：2~1：5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州大学，未经兰州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210300304.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
