[发明专利]新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏及其制造方法无效
| 申请号： | 201210298943.8 | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102830880A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 曹晓星 | 申请（专利权）人： | 深圳市宝明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人： | 赵琼花 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏及其制造方法，所述新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏包括透明基板，依次层叠于透明基板的二氧化硅层、五氧化二铌层、黑色树脂层、ITO电极、绝缘层；所述的二氧化硅层为整面覆盖玻璃，五氧化二铌层为整面覆盖住二氧化硅层；所述的ITO电极为水平方向或垂直方向导通电极，具有规则图形结构；ITO电极为ITO导通电极1与ITO导通电极2组成，ITO导通电极1与ITO导通电极2在同一层面，相互独立，相互绝缘，交错设计；所述透明基板包括视窗区和非视窗区，黑色树脂层分布在显示屏非视窗区。本发明通过对电容触摸屏的层叠结构导通方式进行合理的设计，有效的提高电容式触摸屏的透过率，降低了ITO图案的可视性，触摸屏的可靠性进一步提升。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 ito 层非搭接一 体式 电容 触摸屏 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种新型ITO层非搭接一体式电容触摸屏，其特征在于：包括透明基板，依次层叠于透明基板的二氧化硅层、五氧化二铌层、黑色树脂层、ITO电极、绝缘层；所述的ITO电极为水平方向或垂直方向导通电极，具有规则图形结构；ITO电极为ITO导通电极1与ITO导通电极2组成，ITO导通电极1与ITO导通电极2在同一层面，相互独立，相互绝缘，交错设计；所述透明基板包括视窗区和非视窗区，黑色树脂层分布在显示屏非视窗区。所述的二氧化硅层厚的度为100~1000埃米，所述的五氧化二铌层的厚度为50~500埃米。
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