[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明改善侧墙掩模的半导体制造方法。在本发明中，形成了阻挡层和牺牲层，通过采用CMP工艺，将侧墙上部左右两侧差异较大的部分磨掉，留下侧墙底部近似矩形的部分，并以其为掩膜进行随后的侧墙掩模技术，这样可以尽可能的降低因侧墙形貌不对称而对后续刻蚀造成的不良后果；并且，可以以前一次侧墙掩膜技术形成的第一侧墙为虚设栅极而形成第二侧墙，并执行第二次的CMP工艺，可以获得具有良好形貌的第二侧墙掩膜，从而完成第二次的侧墙掩膜技术即QSPT。

主权项

一种半导体器件制造方法，用于改善侧墙转移技术中的侧墙掩模，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上依次形成第一阻挡层和第一牺牲层，并进行图案化；全面性沉积第一侧墙材料层；各向异性地回刻蚀所述第一侧墙材料层，仅保留位于所述第一阻挡层和所述第一牺牲层的侧面上的所述第一侧墙材料层，从而形成第一侧墙；全面性沉积第一中间介质层，所述第一中间介质层完全覆盖所述第一阻挡层、所述第一牺牲层和所述第一侧墙；进行第一CMP工艺，以所述第一阻挡层的上表面为第一CMP工艺的终止点，去除所述第一阻挡层的上表面之上的所述第一中间介质层、所述第一牺牲层和所述第一侧墙，剩余的所述第一侧墙形成第一侧墙掩模；去除所述第一阻挡层和剩余的所述第一中间介质层，在所述半导体衬底上仅留存所述第一侧墙掩模；在所述第一侧墙掩模的侧面形成第二侧墙；全面性沉积第二中间介质层，所述第二中间介质层完全覆盖所述第二侧墙；进行第二CMP工艺，保留的具有期望高度的所述第二侧墙下部分作为第二侧墙掩膜。