[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210293241.0 | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103594495A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 马小龙;殷华湘;付作振 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/268;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、衬底中源漏区之间的沟道区，其特征在于：源漏区中至少一个包括GeSn合金。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过注入前驱物然后激光快速退火，形成了高Sn含量的GeSn应力源漏区，有效提高了沟道区器件载流子迁移率并进一步提高了器件驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、衬底中源漏区之间的沟道区，其特征在于：源漏区中至少一个包括GeSn合金。
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