[发明专利]三维可写印录存储器

摘要

本发明提出一种三维可写印录存储器（3D‑wP），它含有印录存储阵列和直接可写阵列。印录存储阵列存储内容数据，内容数据通过印录法（即掩膜編程法）录入；直接可写阵列存储定制数据，定制数据通过写录法录入。在本发明中，写录法主要采用直接写入光刻法。为了保证产能，定制数据的总数据量应少于内容数据总数据量的1%。

主权项

一种三维可写印录存储器(3D‑wP)，其特征在于包括：一半导体衬底；多个堆叠在该衬底上并与之耦合的存储层，所述多个存储层相互堆叠，所述存储层含有多个存储内容数据的印录存储阵列；一写录存储阵列，所述写录存储阵列中的图形代表定制数据；所述印录存储阵列和所述写录存储阵列位于同一芯片中；所述定制数据的总数据量小于所述内容数据的总数据量的1％。