[发明专利]硅片的背面图形化的工艺方法

摘要

本发明公开了一种硅片的背面图形化的工艺方法，包括步骤：在硅片的正面完成正面图形化工艺；在硅片的正面沉积保护层；采用光刻刻蚀工艺在硅片正面形成深沟槽并用深沟槽定义出器件背面部分的对准标记；将硅片反转，用硅片的正面和一载片进行键合；对硅片的背面进行研磨到需要的厚度并将对准标记从硅片的背面露出；用对准标记进行对准，在硅片的背面进行背面图形化工艺；进行解键合工艺将硅片和载片解离。本发明方法中的对准标记从正面穿透到背面，能在进行背面图形化工艺时，不需要增加额外的光刻设备和工艺来实现背面图形和正面图形的对准，能够大幅度的降低生产成本，同时还兼容薄片工艺。

主权项

一种硅片的背面图形化的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一硅片，在所述硅片的正面完成所有正面图形化工艺，所述正面图形化工艺包括器件正面部分的形成工艺以及器件正面互联工艺；步骤二、在完成所有所述正面图形化工艺的所述硅片的正面沉积保护层；步骤三、形成所述保护层后，采用光刻刻蚀工艺在所述硅片正面形成深沟槽，所述深沟槽穿过所述保护层进入到所述硅片的本体中，所述深沟槽在所述硅片的本体中的深度大于器件所需的硅片厚度，所述器件所需的硅片厚度为所述器件正面部分加上后续形成的器件背面部分的厚度；所述深沟槽定义出背面图形的对准标记；步骤四、将所述硅片反转，用所述硅片的正面和一载片进行键合，键合后，使所述硅片的背面向上；步骤五、对所述硅片的背面进行研磨，研磨后所述硅片的本体的厚度为所述器件所需的硅片厚度，所述对准标记从研磨后的所述硅片的背面露出；步骤六、用所述对准标记进行对准，在所述硅片的背面进行背面图形化工艺，所述背面图形化工艺包括所述器件背面部分的形成工艺，所述器件背面部分和所述器件正面部分通过所述对准标记进行对准并组成完整的器件；步骤七、进行解键合工艺将形成有完整的器件的所述硅片和所述载片解离。