[发明专利]镍镉充电电池记忆效应消除装置无效
申请号: | 201210288653.5 | 申请日: | 2012-08-14 |
公开(公告)号: | CN102801194A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 黄宇嵩 | 申请(专利权)人: | 黄宇嵩 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安徽省蚌埠*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种镍镉充电电池记忆效应消除装置。该镍镉充电电池记忆效应消除装置由1.2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成。镍镉充电电池在使用中如果放电不够彻底,就会产生记忆效应,记忆效应经过长期积累就会使镍镉充电电池无法使用。采用本发明所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置,能够使镍镉充电电池完全放电,而且不会发生镍镉充电电池过放电的风险,而使镍镉充电电池的极性反转。本发明设计的消除记忆效应的放电电路可使镍镉充电电池放电放到0.7V,既保证了镍镉充电电池的正确放电,也不会发生电池极性反转现象,对镍镉充电电池性能“早衰”或者性能低下的均有一定修复作用,使其延迟了使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 充电电池 记忆 效应 消除 装置 | ||
【主权项】:
一种镍镉充电电池记忆效应消除装置,它由1.2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成,其特征包括:反激式间歇振荡电路由NPN型晶体管VT1、电阻R1和高频变压器T组成,NPN型晶体管VT1的基极接高频变压器T的L1绕组的同名端,高频变压器T的L1绕组异名端通过电阻R1接电路正极VCC, NPN型晶体管VT1的集电极接高频变压器T的L2绕组异名端,高频变压器T的L2绕组同名端接电路正极VCC,NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND;放电负载电路由发光二极管LED1和发光二极管LED2组成,发光二极管LED1和发光二极管LED2的正极接NPN型晶体管VT1的集电极,发光二极管LED1的负极和发光二极管LED2的负极接电路地GND。
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