[发明专利]一种TFT阵列基板及显示器有效
申请号: | 201210287814.9 | 申请日: | 2012-08-13 |
公开(公告)号: | CN102856320A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 闫岩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G09G3/20;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管TFT阵列基板及显示器,所述TFT阵列基板上包括多条横纵交叉的栅线和数据线,以及多个像素单元,所述像素单元包括多个子像素单元,所述子像素单元是由所述横纵交叉的栅线和数据线围设成的,每个所述子像素单元包括TFT和像素电极,针对共用同一根数据线的两列像素单元,任一像素单元内,两两子像素单元使用的栅线不同,且任意两个像素单元内,两两子像素单元使用的栅线不同。由于同一像素单元内的各子像素单元共用一根数据线,且相邻列的子像素单元共用一根数据线,因此,在实现相同分辨率的像素阵列时,所述TFT阵列基板使用的数据线的条数较少,进而降低了制作源极驱动电路工艺的复杂度,同时节约了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 tft 阵列 显示器 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管TFT阵列基板,其特征在于,所述TFT阵列基板上包括多条栅线和多条数据线,以及多个像素单元,所述像素单元包括多个子像素单元,所述子像素单元是由所述横纵交叉的栅线和数据线围设成的,每个所述子像素单元包括TFT和像素电极;针对共用同一根数据线的两列像素单元,任一像素单元内,两两子像素单元使用的栅线不同,且任意两个像素单元内,两两子像素单元使用的栅线不同,所述两列像素单元中的任意一列像素单元包含至少一个像素单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的