[发明专利]晶闸管及晶闸管封装件无效
| 申请号： | 201210286393.8 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103594490A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 黄勤 | 申请（专利权）人： | 无锡维赛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/744;H03K17/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市无锡国家高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶闸管及晶闸管封装件。本发明的PNPN型晶闸管包括：由P型、N型、P型及N型半导体层构成的层叠结构，且在与作为阴极的N型半导体层接触的P型半导体层中相对于该作为阴极的N型半导体层的区域具有第一开口；本发明的无需驱动电流的晶闸管包括：晶闸管本体及受控开关单元；受控开关单元连接PNPN型的晶闸管本体的门极及阴极、或连接NPNP型的晶闸管本体的门极及阳极；本发明的晶闸管封装件包括：形成在半导体衬底表面的无需驱动电流的晶闸管；封装所形成的无需驱动电流的晶闸管的壳体及外露于壳体且与无需驱动电流的晶闸管连接的门极、阴极及阳极引脚。本发明的优点包括：晶闸管能在门极无注入电流时正向导通,并能通过开关单元关断晶闸管。 | ||
| 搜索关键词： | 晶闸管 封装 | ||
【主权项】：
一种PNPN型晶闸管，其特征在于，所PNPN型晶闸管至少包括：由P型、N型、P型及N型半导体层构成的层叠结构，其中，在与作为阴极的N型半导体层接触的P型半导体层中相对于该作为阴极的N型半导体层的区域具有第一开口。
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