[发明专利]稀土类各向异性磁粉的制备方法以及磁粉和磁体

摘要

本发明涉及一种稀土类各向异性磁粉的制备方法以及磁粉和磁体，该制备方法的对稀土母合金进行HDDR处理的工序包括：低温氢化的步骤、高温吸氢-歧化的步骤、缓慢脱氢-再复合的步骤以及快速彻底脱氢的步骤；本发明通过在高温吸氢-歧化的步骤中以每分钟0.1～1.0kPa的速率连续提升稀土母合金所受到的氢分压，并且在缓慢脱氢-再复合的步骤中以每分钟0.1～0.5kPa的速率连续降低稀土母合金所受到的氢分压，从而缩短了现有HDDR工艺的加工时间、提高了生产效率，并且使合金原料内外各部位的反应速率基本一致，进而使磁粉的退磁曲线具有一个很好的方形度，提升了磁粉的磁性能，使制备出的磁粉能够满足电子产品小型化、轻薄化、高性能化的需求。

主权项

一种稀土类各向异性磁粉的制备方法，包括制备稀土母合金的工序以及对该稀土母合金进行HDDR处理的工序；其特征在于，所述对该稀土母合金进行HDDR处理的工序包括以下步骤：低温氢化的步骤：将稀土母合金置于氢分压为0.05～0.3MPa的氢环境中，并在25℃～600℃保持0.5～3小时，从而完成低温氢化的步骤；高温吸氢‑歧化的步骤：在低温氢化的步骤完成后，对氢环境中的稀土母合金加热升温，升温期间将氢分压调整并维持在10～30kPa；当稀土母合金的温度达到760℃～860℃时，以每分钟0.1～1.0kPa的速率使氢分压持续增压1～2小时；当稀土母合金吸氢饱和后，将氢分压调整为100kPa，然后维持1～2小时，从而完成高温吸氢‑歧化的步骤；缓慢脱氢‑再复合的步骤：高温吸氢‑歧化的步骤完成后，将稀土母合金的温度控制在760℃～860℃的范围内，并将该氢环境中的氢分压调整为5～10kPa，然后以每分钟0.1～0.5kPa的速率对氢分压持续降压0.5小时，从而完成缓慢脱氢‑再复合的步骤；快速彻底脱氢的步骤：缓慢脱氢‑再复合工序完成后，将稀土母合金的温度控制在760℃～860℃的范围内，并迅速将氢环境中的稀土母合金所受到的氢分压调整到不超过1.0Pa，然后迅速冷却至50℃以下，从而完成快速彻底脱氢的步骤，即完成HDDR处理的工序。