[发明专利]磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备在审
| 申请号： | 201210285196.4 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102956813A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 朴正宪;金英铉;朴相奂;吴世忠;李将银;林佑昶 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 器件 存储器 存储系统 电子设备 | ||
【主权项】：
一种磁隧道结器件，包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。
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