[发明专利]一种制备定向石墨烯纳米带阵列的方法有效
| 申请号： | 201210284501.8 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102757043A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 刘立伟;龚佑品;龙明生;高嵩;朱超;耿秀梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 王锋;孙东风 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备定向石墨烯纳米带阵列的方法。作为优选方案之一，该方法包括如下步骤：（1）在经抛光处理的衬底表面沉积纳米金属催化剂颗粒；（2）在所述衬底表面生长定向排布的碳纳米管；（3）在所述衬底表面沉积薄层氢前金属薄膜；（4）以酸性溶液处理所述衬底表面，将所述碳纳米管沿轴向剖开形成石墨烯纳米带阵列。本发明工艺简单，易于实施，且所制得的GNR具有高的定向性、高的密度、低的面内缺陷密度和边缘无序、高的电子迁移率，且GNR阵列的密度等还可以通过定向碳管的生长工艺以及刻蚀工艺来控制，同时，基于该GNR阵列的器件还具有良好电学传导性能，在自旋电子学、传感器、晶体管等领域具有重要应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 定向 石墨 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种制备定向石墨烯纳米带阵列的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：（1）在经抛光处理的衬底表面沉积纳米金属催化剂颗粒；（2）在所述衬底表面生长定向排布的碳纳米管；（3）在所述衬底表面沉积薄层氢前金属薄膜；（4）以酸性溶液处理所述衬底表面，将所述碳纳米管沿轴向剖开形成石墨烯纳米带阵列。
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