[发明专利]半导体器件的回流装置有效
| 申请号： | 201210284359.7 | 申请日： | 2006-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102825356A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 松井弘之;松木浩久;大竹幸喜 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K3/00 | 分类号： | B23K3/00;B23K3/08 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种回流装置，在该回流装置中使用蚁酸清洗处理物上的焊料电极的表面。该回流装置包括：炉，包括晶片接收区域、回流处理区域及取出区域，并具有由防护构件完全覆盖的内壁；蚁酸导入机构，安装在该回流处理区域中；惰性气体导入机构，在该炉内产生惰性气体氛围；加热器，用于蚁酸分解，充分散布在该炉的内壁与该防护构件之间；装载机，承载多个晶片至该晶片接收区域；卸载机，从该取出区域中卸出所述多个晶片；第一闸门，位于该装载机与该晶片接收区域之间；以及第二闸门，位于该取出区域与该卸载机之间。该回流装置能够实现两个或更多半导体晶片的批处理，也能够防止蚁酸对炉的腐蚀，并防止金属杂质（反应产物）飞散到晶片上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 回流 装置 | ||
【主权项】：
一种回流装置，包括：炉，包括晶片接收区域、回流处理区域及取出区域，并具有由防护构件完全覆盖的内壁；蚁酸导入机构，安装在该回流处理区域中；惰性气体导入机构，在该炉内产生惰性气体氛围；加热器，用于蚁酸分解，充分散布在该炉的内壁与该防护构件之间；装载机，承载多个晶片至该晶片接收区域；卸载机，从该取出区域中卸出所述多个晶片；第一闸门，位于该装载机与该晶片接收区域之间；以及第二闸门，位于该取出区域与该卸载机之间。
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