[发明专利]半导体结构及其制造方法与操作方法有效
| 申请号： | 201210282154.5 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103579248A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法与操作方法。半导体结构包括一衬底、一主体结构、一第一介电层、一第一条状导电块和一第二条状导电块、一第二介电层以及一导电结构。主体结构形成于衬底上，第一介电层形成于衬底上并围绕主体结构的两侧壁和顶部。第一条状导电块和第二条状导电块分别形成于第一介电层的两侧壁上。第二介电层形成于第一介电层、第一条状导电块及第二条状导电块上，导电结构形成于第二介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一衬底；一主体结构，形成于该衬底上；一第一介电层，形成于该衬底上并围绕该主体结构的两侧壁和一顶部；一第一条状导电块和一第二条状导电块，分别形成于该第一介电层的两侧壁上；一第二介电层，形成于该第一介电层、该第一条状导电块及该第二条状导电块上；以及一导电结构，形成于该第二介电层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210282154.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储单元及其形成方法
- 下一篇：一种存储器器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
