[发明专利]低成本C/SiC陶瓷复合材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种低成本C/SiC陶瓷复合材料的制备方法，该方法包括如下步骤：1）将3K长丝碳纤维无纬布分多单元层铺设，每单元层之间设有网胎，逐层叠加缝合成编织体；2）将编织体浸泡在丙酮中清洗后烘干；3）使用真空、振动浸渍工艺，将硼酚醛树脂的乙醇溶液浸渍进编织体中，然后依次固化、常压碳化裂解；4）使用真空、振动浸渍工艺，将聚碳硅烷的二甲苯溶液浸渍进经上步处理的编织体中，然后固化；5）将经步骤4）处理后的编织体送入高温裂解炉中裂解，裂解压力为0.2~0.3MPa；6）重复步骤4）和步骤5）的过程，直至增重量小于原质量的1%，即制得低成本C/SiC陶瓷复合材料。本发明有效提高了浸渍效率和聚碳硅烷的转化率，降低了制备成本，缩短了制备周期。

主权项

一种低成本C/SiC陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：1）编织体加工：将3K碳纤维布分多单元层铺设，每单元层之间设有网胎，逐层叠加缝合成设计形状编织体，所述的3K碳纤维布为规格为3K的长丝碳纤维织成的无纬布；2）编织体预处理：将编织体浸泡在丙酮中清洗后烘干；3）镀层处理：使用真空、振动浸渍工艺，将镀层溶液浸渍进编织体中，然后将浸渍后的编织体固化，并将固化后的编织体转移至高温裂解炉中常压碳化裂解，所述镀层溶液为硼酚醛树脂的乙醇溶液；4）先驱体浸渍、固化：使用真空、振动浸渍工艺，将先驱体溶液浸渍进经步骤3）处理的编织体中，并将经先驱体溶液浸渍后的编织体固化，所述先驱体溶液为聚碳硅烷的二甲苯溶液；5）微正压裂解：将经步骤4）处理后的编织体送入高温裂解炉中裂解，其中裂解压力为0.2~0.3MPa；6）重复步骤4）和步骤5）的过程，直至增重量小于原质量的1%，即可制得低成本C/SiC陶瓷复合材料。