[发明专利]压电薄膜谐振器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210272191.8 | 申请日： | 2012-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102916673A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 上田政则;谷口真司;西原时弘 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;王伶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了压电薄膜谐振器及其制造方法。一种压电薄膜谐振器包括：下电极，其设置在基板上；压电膜，其设置在下电极上并包括至少两层；上电极，其设置在压电膜上，并具有面对下电极且与下电极一起夹着压电膜的区域；和绝缘膜，其设置在下电极和上电极彼此面对的区域中，并在所述至少两层的各层之间，其中绝缘膜的上表面比绝缘膜的下表面平坦。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 谐振器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：下电极，其设置在基板上；压电膜，其设置在所述下电极上并且包括至少两层；上电极，其设置在所述压电膜上，并且具有与所述下电极一起夹着所述压电膜且面对所述下电极的区域；以及绝缘膜，其设置在所述至少两层的各层之间并且在所述下电极和所述上电极彼此面对的区域中，其中，所述绝缘膜的上表面比所述绝缘膜的下表面平坦。
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